Біполярний CMOS (BiCMOS) — це напівпровідникова технологія, яка об’єднує дві напівпровідникові технології: біполярний транзистор і логічний елемент CMOS (комплементарний метал-оксид-напівпровідник) в одну інтегральну схему.
BiCMOS поєднує в собі сильні сторони двох різних технологічних процесів в одному чіпі: Біполярні транзистори забезпечують високу швидкість і коефіцієнт підсилення, які є критичними для високочастотних аналогових секцій, тоді як технологія CMOS чудово підходить для побудови простих логічних вентилів малої потужності..
Однак процес CMOS має низьку витримувану напругу, що робить їх придатними для застосувань із низькою напругою живлення. Хоча біполярні операційні підсилювачі забезпечують вищий вхідний струм зміщення та струм споживання, вони пропонують вищу витримувану напругу, низький рівень шуму, низьке зміщення та широку смугу пропускання.
14 кроків для виготовлення BiCMOS
- Крок 1: P-субстрат береться, як показано на малюнку нижче.
- Крок 2: p-підкладку покривають шаром оксиду.
- Крок 3: На шарі оксиду робиться невеликий отвір.
- Крок 4: Домішки N-типу сильно леговані через отвір.
- Крок 5: шар P – Epitaxy нарощується на всю поверхню.
Інверторна схема BiCMOS, яка має додаткові МОП-транзистори та додаткові біполярні транзистори, забезпечує високу швидкість інвертування, а також високий ступінь інтеграції, коли вона виготовлена на напівпровідниковій мікросхемі.
Біполярний КМОП (BiCMOS) — це напівпровідникова технологія, яка об’єднує дві напівпровідникові технології, біполярний транзистор і логічний елемент КМОП (комплементарний метал-оксид-напівпровідник) в одну інтегральну схему.